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600V/650V/700V SJ MOS

基于革命性超結 (SJ) 原理設計，使用先進的多次外延（Multi-EPI）工藝技術制造，擁有更優(yōu)的EMI特性，更容易通過安規(guī)認證；超低導通電阻和結電容，有效降低導通損耗和開關損耗，效率高，發(fā)熱小，可以適應更高的開關頻率。

PFC（功率因數校正）拓撲常見的工作模式有CCM電流連續(xù)型、DCM不連續(xù)型和CRM臨界型三種，PFC拓撲對MOS管的要求比較高，在保證系統(tǒng)效率和溫升的條件下，要盡可能的提升系統(tǒng)穩(wěn)定性用來改善電子或電力設備裝置的功率因素，用于提高配電設備及其配線的利用率,以降低設備的裝置容量；

紫光微可以提供 600V，650V ，700V 的多次外延（ Multi-EPI ）SJMOS，PFC可選擇。

600V/650V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS

帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振全橋電路應用，具有高速快恢復二極管（FRD），短的反向恢復時間（Trr），適用于當再生電流流經主體二極管時會導致恢復損耗的應用。

LLC拓撲常用于大功率諧振式變換器，是150W至1.6kW應用的理想選擇。因采用零電壓開關（ZVS）而實現了非常高的工作效率，在大幅度減小開關損耗的同時還可以有更高的功率密度，可廣泛應用于服務器電源、電動汽車充電樁等領域

無錫紫光微提供的BV為650V的MutliEPISJ-MOS可用于諧波半橋電源應用,也提供具有高速快恢復二極管（FRD）的MutliEPISJ-MOS，且二極管具有短的反向恢復時間（Trr），適用于當再生電流流經主體二極管時會導致恢復損耗的應用

600V/650V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS

帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振全橋電路應用，具有高速快恢復二極管（FRD），短的反向恢復時間（Trr），適用于當再生電流流經主體二極管時會導致恢復損耗的應用。

逆變電路工作原理開關T1、T4閉合，T2、T3斷開: 開關T1、T4斷開，T2、T3閉合當以頻率fS交替切換開關T1、T4和 T2 、T3 時 ， 則 在 負載電 阻 R上 獲 得交變電壓波形(正負交替的方波)，其周期 Ts=1/fS，這樣，就將直流電壓變成了交流電壓